Dresden 2006 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 9: Poster I
HL 9.15: Poster
Montag, 27. März 2006, 15:15–17:45, P3
(InGa)As Oberflächenemitter mit horizontaler Kavität (HCSEL) — •Volker Gottschalch1, Helmut Herrnberger2, Tobias Gühne1, Jaroslav Kovac jr.3, Gunnar Leibiger1, Jaroslav Kovac3, Rüdiger Schmidt-Grund1, Joachim Zajadacz2, Jens Dienelt2, and Axel Schindler2 — 1Universität Leipzig, Fakultäten für Chemie und Physik, Linnéstrasse 3, D-04103 Leipzig — 2Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoser Str. 15, D-04318 Leipzig — 3Slowakische Technische Universität, Fakultät für Mikroelektronik, Ilkovicova 3, SK-81219 Bratislava
Oberflächenemittierende Laserdioden mit horizontaler Kavität sind infolge ihrer hohen Lichtleistungen im Vergleich zu VCSEL-Strukturen von speziellem Applikationsinteresse. In0.37Ga0.63As-Doppel-QW-Laserstrukturen mit Emissionswellenlängen bis zu 1180 nm wurden mit der MOVPE im Standardsystem bei Abscheidungstemperaturen von 550∘C gezüchtet. Die Schwellstromdichten der Oxidstreifenlaser lagen bei 250 Acm−2. Mittels der PECVD wurden die Laserriegel auf den Spaltflächen mit dielektrischen Spiegeln aus SiOx/Si-Schichtfolgen vergütet. Die Auswirkungen auf den differentiellen Quantenwirkungsgrad, die Schwellstromdichte und die Strahlgüte wurden untersucht. Mikrospiegel von 45∘ wurden durch reaktives Ionenstrahlätzen (Cl2 CAIBE) erzeugt und nach der Charakterisierung der Einzeldioden ebenfalls zur Auskopplung des Laserstrahls durch das GaAs-Substrat mit einem Bragg-Spiegel versehen. Die elektrooptischen Kennlinien der Dioden werden diskutiert.