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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Poster I

HL 9.16: Poster

Montag, 27. März 2006, 15:15–17:45, P3

MOVPE-Wachstum von GaN Nadeln — •Matthias Shirnow¹, Volker Gottschalch¹, Gerald Wagner², Jens Bauer¹, Hendrik Paetzelt¹, and Jörg Lenzner³ — ¹Institut für Anorganische Chemie, Universität Leipzig, Johannesallee 29, D-04103 Leipzig — ²Institut für Kristallographie und Mineralogie, Universität Leipzig, Linnéstrasse 3, D-04103 Leipzig — ³Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 3, D-04103 Leipzig

Das MOVPE-Wachstum von GaN-Nadeln wurde für die Quellenkombination Trimethylgallium und Dimethylhydrazin untersucht. Als Substratmaterial kamen (001) , (111) _Ga, (111) _As GaAs-, (111) Si- und (0001) , (0112) Al₂O₃-Substrate zum Einsatz. Bei der Niederdruck-MOVPE in einem kommerziellen Reaktor wurde der DMHy-Partialdruck von 0.07 bis 1 mbar und die Wachstumstemperatur von 550 bis 750^∘C variiert. Die Charakterisierung erfolgte mittels TEM, HRTEM, SAD, Röntgendiffraktometrie und CL. GaN-Nadeln entstanden im Temperaturgebiet von 550 bis 650^∘C. In allen Fällen wurde unter den GaN-Nadeln eine GaN-Schicht detektiert. Der anisotrope Wachstumsprozess ("‘catalyst-free"’), der zu nadelförmigen Kristallen im nm- bis µm-Bereich führt, steht offensichtlich mit Zinkblende-Wurtzit-Übergangen in dieser Übergangsschicht im Zusammenhang.