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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Poster I

HL 9.17: Poster

Montag, 27. März 2006, 15:15–17:45, P3

A^IIIB^V Nano- und Mikroröhren verschiedener Orientierung und Struktur — •Hendrik Paetzelt¹, Volker Gottschalch¹, Jens Bauer¹, Helmut Herrnberger², and Gerald Wagner³ — ¹Institut für Anorganische Chemie, Universität Leipzig, Johannesallee 29, D-04103 Leipzig — ²Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoser Str. 15, D-04318 Leipzig — ³Institut für Kristallographie und Mineralogie, Universität Leipzig, Linnéstrasse 3, D-04103 Leipzig

Aus stark verzerrten MOVPE-Heterostrukturen wurden mittels materialselektiver Ätztechnik A^IIIB^V Nano- und Mikroröhren definierter Geometrie und Orientierung erzeugt. Die Schichtfolgen (BGa)As/GaInAs und (BGa)P/(GaIn)P wurden mit Opferschichten aus AlAs und AlGaP kombiniert, um Röhren mit Durchmessern zwischen 140 nm und 2 µm herzustellen. Der Einfluss der Materialparameter: Zusammensetzung, Schichtdicke, Grenzflächengüte, sowie der Substratorientierung bzw. Fehlorientierung auf Durchmesser und Struktur der Röhren, wurden untersucht und mittels linearer Elastizitätstheorie modelliert. TEM Aufnahmen von Querschnittsflächen und AFM Aufnahmen der Oberflächen bzw. der Grenzflächen werden vorgestellt und diskutiert. Die Auswirkungen einer nachträglichen epitaktischen Abscheidung von pseudomorphen GaAs-Schichten auf die gekrümmte Oberfläche der Röhren, und deren Einfluss auf Stabilität und Röhrendurchmesser wurden untersucht, und damit die Möglichkeit der nachträglichen Veränderung der Spannungsverteilung in der Nanoröhre aufgezeigt.