Dresden 2006 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 9: Poster I
HL 9.18: Poster
Montag, 27. März 2006, 15:15–17:45, P3
Oberflächenpassivierung von GaAs-Nanodrähten und Ladungsträgerconefinement durch Mantelstrukturen — •Jens Bauer1, Volker Gottschalch1, Hendrik Paetzelt1, Gabriele Benndorf2, and Gerald Wagner3 — 1Institut für Anorganische Chemie, Universität Leipzig, Johannesallee 29, D-04103 Leipzig — 2Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 3, D-04103 Leipzig — 3Institut für Kristallographie und Mineralogie, Universität Leipzig, Linnéstrasse 3, D-04103 Leipzig
Eine Kombination von MOVPE (metallorganische Gasphasenepitaxie) und VLS ("‘vapor-liquid-solid"’)-Wachstumsmechanismus erlaubt die Darstellung von Halbleiternanodrähten. Durch gezielte Variation der Züchtungsbedingungen können sowohl eine säulenförmige als auch eine spitz zulaufende Morphologie erreicht werden. Die geringen lateralen Ausdehnungen führen zu einem hohen Einfluss von Oberflächeneffekten auf die optischen Eigenschaften dieser Nanodrähte. Durch geeignete Passivierungsmethoden reduzieren sich derartige Einflüsse deutlich. Unter Ausnutzung von normalem epitaktischen Schichtwachstum lassen sich Mantelstrukturen auf den Nanodrähten realisieren ("‘core-shell"’-Strukturen), welche bei geeigneter Materialwahl ein Ladungsträgerconfinement im Nanodraht ermöglichen. Im Beitrag werden die Passivierung von GaAs-Nanodrähten durch in-situ-Stickstoffbehandlung bzw. ex-situ-SiOx-Abscheidung und der Aufbau von GaAs/(AlGa)As bzw. GaAs/Ga(AsN) "‘core-shell"’-Strukturen vorgestellt und die Einflüsse auf die Photolumineszenzausbeute diskutiert.