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A: Atomphysik

A 10: Poster I: Wechselwirkung mit Elektronen und Ionen

A 10.4: Poster

Dienstag, 14. März 2006, 16:30–18:30, Labsaal

Vielfachionisation und -einfang in F⁹⁺-Ne Stößen — •M. Keim^1,2, T. Spranger¹, M. Zapukhlyak¹, T. Kirchner¹ und H.J. Lüdde² — ¹Institut für Theoretische Physik, TU Clausthal, Leibnizstraße 10, D-38678 Clausthal-Zellerfeld — ²Institut für Theoretische Physik, Goethe-Universität, Max-von-Laue-Straße 1, D-60438 Frankfurt/Main

Totale Wirkungsquerschnitte für Umladungsprozesse in schnellen Stößen hochgeladener Ionen an Vielelektronenatomen sind vielfältig vermessen und berechnet, aber nur in wenigen Fällen befriedigend analysiert und durch Rechnungen erklärt worden. Beispielsweise deuteten quantenmechanische Rechnungen für das Stoßsystem F⁹⁺-Ne bei einer Projektilenergie von 1 MeV/amu an, dass sowohl dynamische Abschirmungseffekte als auch indirekte Ionisationsprozesse Einfluss auf die Resultate nehmen. Es konnte jedoch keine gute Übereinstimmung mit experimentellen Daten erzielt werden [1].

In diesem Beitrag präsentieren wir neue Rechnungen auf der Grundlage der kürzlich vorgestellten Zweizentren-Erweiterung der Basis Generator Methode [2]. Die Bedeutung dynamischer Abschirmungseffekte und indirekter Ionisationsprozesse wird anhand systematischer Modelle im Vergleich mit den experimentellen Daten untersucht.

[1] T. Kirchner et al., Physica Scripta T80, 416 (1999)

[2] M. Zapukhlyak et al., J. Phys. B. 38, 2353 (2005)