Frankfurt 2006 – scientific programme
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A: Atomphysik
A 2: Elektronenstreuung und -rekombination
A 2.1: Talk
Monday, March 13, 2006, 14:00–14:15, H6
Einfach- und Mehrfachionisation von Xenonionen durch Elektronenstoß — •J. Jung, P. Löffler, A. Titte, J. Jacobi, S. Schippers und A. Müller — Institut für Atom- und Molekülphysik, Justus-Liebig-Universität Gießen
Hochgeladene Xenonionen spielen gegenwärtig eine Rolle bei der Erzeugung von extrem-ultravioletter Strahlung (EUV-Strahlung) in den Plasmalampen der EUV-Belichtungsanlagen, die mit einer Belichtungswellenlänge von 13,5 nm arbeiten. Diese sollen ab 2010 in der Mikrochipherstellung die nächste Generation von Strukturminiaturisierung jenseits der 50 nm Grenze, die sogenannte EUV-Lithographie, realisieren. Wirkungsquerschnitte für Elektronenstoßionisation werden benötigt, um die Emission der Xenon-Plasmen zu optimieren. Messungen wurden bei Elektronenenergien im Bereich der Ionisationsschwellenenergie bis 1000 eV für die Einfachionisation (q = 4, 5, 6, 8), die Doppelionisation (q = 4, 6, 8) und die Dreifachionisation (q = 6) von Xeq+ durchgeführt. Dabei kamen besonders bei der Mehrfachionisation die indirekten Prozesse der Elektronenstoßionisation im Wirkungsquerschnitt zum Vorschein. Unter anderem zeigten sich im Energiebereich um 600 eV deutliche 3d-Resonanzen und im Energiebereich um 900 eV 3p-Resonanzen, verursacht durch den dielektronischen Einfang des freien Elektrons und nachfolgende Autoionisation.