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Frankfurt 2006 – scientific programme

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MO: Molekülphysik

MO 72: Collisions and Energy Transfer

MO 72.2: Talk

Friday, March 17, 2006, 10:55–11:10, H10

Anlagerung langsamer Elektronen an selektiv schwingungsangeregte SF6 Moleküle — •M. Braun1, F. Gruber1, E. Illenberger2, S.V.K. Kumar3, M.-W. Ruf1 und H. Hotop11Fachbereich Physik, TU Kaiserslautern, D-67653 Kaiserslautern, Germany — 2Fachbereich Chemie, FU Berlin, D - 14195 Berlin, Germany — 3Tata Institute of Fundamental Research, Mumbai 400 005, India

Die Anlagerung freier Elektronen an SF6 – Moleküle unter Bildung langlebiger SF6 – Ionen ist ein wichtiger Prozess in gasförmigen Dielektrika [1]. Während das Verhalten des Querschnitts unterhalb von 0.1 eV gut verstanden ist, sind hinsichtlich der Bildung von SF5 Ionen noch Fragen offen: Verläuft letztere über eine repulsive Resonanz bei etwa 0.5 eV oder ist sie Resultat eines partiellen Zerfalls des SF6 Komplexes? Welchen genauen Einfluss haben Elektronenenergie und rovibronische Energie des Ausgangsmoleküls auf die Dissoziation dieses Komplexes? Zur Klärung haben wir mittels der LPA/EXLPA Methode hochauflösende Messungen der Querschnitte für die Bildung von SF6 und SF5 Ionen im Energiebereich 0 - 2 eV mit einem geseedeter Düsenstrahl (Temperaturen 300 - 600 K) durchgeführt. Zur Anregung der Moleküle wurde transversal ein CO2 - Laser (Leistung bis 60 W, Strahldurchmesser etwa 2 mm) eingestrahlt und mit mehreren Linien gezielt die ν3 Schwingungsmode gepumpt. Die CO2 Laseranregung führt zu einer von der Elektronenenergie abhängigen Erhöhung der SF5 Bildung um bis zu 80%.
Diese Arbeit wurde unterstützt durch die DFG und den FSP OTLAP.

[1] L. G. Christophorou, J. K. Olthoff, J. Phys. Chem. Ref. Data 29 (2000) 267

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