Frankfurt 2006 – scientific programme
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MO: Molekülphysik
MO 72: Collisions and Energy Transfer
MO 72.2: Talk
Friday, March 17, 2006, 10:55–11:10, H10
Anlagerung langsamer Elektronen an selektiv schwingungsangeregte SF6 Moleküle — •M. Braun1, F. Gruber1, E. Illenberger2, S.V.K. Kumar3, M.-W. Ruf1 und H. Hotop1 — 1Fachbereich Physik, TU Kaiserslautern, D-67653 Kaiserslautern, Germany — 2Fachbereich Chemie, FU Berlin, D - 14195 Berlin, Germany — 3Tata Institute of Fundamental Research, Mumbai 400 005, India
Die Anlagerung freier Elektronen an SF6 – Moleküle unter Bildung langlebiger
SF6− – Ionen ist ein wichtiger Prozess in gasförmigen Dielektrika [1]. Während das Verhalten des
Querschnitts unterhalb von 0.1 eV gut verstanden ist, sind hinsichtlich der Bildung von SF5− Ionen
noch Fragen offen: Verläuft letztere über eine repulsive Resonanz bei etwa 0.5 eV oder ist sie
Resultat eines partiellen Zerfalls des SF6− Komplexes? Welchen genauen
Einfluss haben Elektronenenergie und rovibronische Energie des Ausgangsmoleküls auf die Dissoziation dieses
Komplexes?
Zur Klärung haben wir mittels der LPA/EXLPA Methode
hochauflösende Messungen der Querschnitte für die Bildung von SF6− und SF5− Ionen im
Energiebereich 0 - 2 eV mit einem geseedeter Düsenstrahl (Temperaturen 300 - 600 K) durchgeführt.
Zur Anregung der Moleküle wurde transversal ein CO2 - Laser (Leistung bis 60 W,
Strahldurchmesser etwa 2 mm) eingestrahlt und mit mehreren Linien gezielt die
ν3 Schwingungsmode gepumpt. Die CO2 Laseranregung führt zu einer von der Elektronenenergie
abhängigen Erhöhung der SF5− Bildung um bis zu 80%.
Diese Arbeit wurde unterstützt durch die DFG und den FSP OTLAP.
[1] L. G. Christophorou, J. K. Olthoff, J. Phys. Chem. Ref. Data 29 (2000) 267