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EP: Extraterrestrische Physik
EP 7: Instrumentierung
EP 7.5: Fachvortrag
Dienstag, 14. März 2006, 17:30–17:45, B
Parametermessungen an DEPFET-Detektoren — •Stefan Wölfel1, Sven Herrmann1, Peter Lechner2, Matteo Porro1, Rainer Richter3, Lothar Strüder1 und Johannes Treis1 — 1MPI für extraterrestrische Physik, Halbleiterlabor, München — 2PNSensor, München — 3MPI für Physik, Halbleiterlabor, München
Der am Halbleiterlabor des MPI für Physik und extraterrestrische Physik entwickelte und produzierte Silizium DEPFET Detektor dient zum orts- und energieaufgelösten Nachweis ionisierender Teilchen in der Astronomie und der Hochenergiephysik. Das Detektorkonzept bietet verschieden Vorteile. Zum einem wird durch die vollständige Depletierung des Siliziumchips eine hohe Nachweiswahrscheinlichkeit erreicht. Zum anderen ermöglicht ein im Detektor integrierter MOSFET Transistor eine rauscharme erste Signalverstärkung. Da es sich um einen integrierenden Sensor handelt, muss die gesammelte Signalladung je nach Einsatzgebiet von Zeit zu Zeit wieder entfernt werden. Dieser Mechanismus, sowie Untersuchungen des Rauschverhaltens werden anhand von Messungen an Einzelpixeln und Minimatrizen vorgestellt.