Düsseldorf 2007 – wissenschaftliches Programm

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SYOH: Symposium Optische Hochleistungsbeschichtungen für den Einsatz in Lasersystemen und anderen Anwendungen

SYOH 6: Industrielle Anwendungen

SYOH 6.3: Vortrag

Donnerstag, 22. März 2007, 16:30–16:45, 6A

Anforderungen an Hochleistungsschichtsysteme für die DUV - Lithographie — •Martin Bischoff, Dieter Gäbler und Norbert Kaiser — Fraunhofer Institut Angewandte Optik und Feinmechanik, Albert-Einstein-Straße 7, 07745 Jena

Zur Erzeugung immer kleinerer Strukturgrößen verwenden die Chiphersteller immer kürzere Wellenlängen und zur Vergrößerung der numerischen Apertur und damit des Auflösungsvermögens eine Wasserschicht zwischen dem letzten Linsenelement und der Lackschicht auf dem Wafer (Immersion). Ausgehend vom aktuellen Stand der optischen Halbleiter-Lithografie bei 193nm (65-nm-Node) geht die aktuelle Entwicklung über Immersionslithographie (45-nm-Node) hin zu "Double Exposure" Immersionslithographie (32-nm-Node). Dies stellt wiederum neue Anforderungen an die Qualität optischer Schichten und Schichtsysteme, die im Wesentlichen die Strahlungs- und Umweltstabilität von Lithographieoptiken definieren. Ziel ist es, defekt- und absorptionsarme Schichten herzustellen, so dass als Schichtmaterialien aufgrund des geringen Extinktionskoeffizienten im Wesentlichen nur Metallfluoride in Frage kommen. In diesem Beitrag werden aktuelle Beschichtungsverfahren vorgestellt und neue Entwicklung zur Verbesserung der Schichteigenschaften präsentiert.