Heidelberg 2007 – scientific programme

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 214: Halbleiterdetektoren I

T 214.7: Talk

Tuesday, March 6, 2007, 18:20–18:35, INF 327 SR 6

Strahlungseffekte bei dem CDF Siliziumdetektor — •Jeannine Wagner — Universität Karlsruhe, Wolfgang-Gaede-Str. 1, 76131 Karlsruhe

Der Silizium-Vertexdetektor bei CDF RunII ist der grösste zur Zeit betriebene Siliziumdetektor in der Hochenergiephysik und ist schwerwiegender Strahlung ausgesetzt. Die Lebensdauer des Siliziumdetektors ist aufgrund von Strahlenschäden begrenzt und strahlbezogene Störfälle sind ein weiteres Risiko. Der Einfluss dieser Störfälle auf den Betrieb des Detektors wird genauer untersucht. Desweiteren wird sowohl der Einfluss von Strahlung auf das Rauschen der Elektronik und der Siliziumsensoren beschrieben als auch die Erhöhung der notwendigen Verarmungsspannung der Sensoren bis zu einem maximalen Wert. Ausgehend von den Studien zur Verarmungsspannung als Funktion der integrierten Luminosität wird die Lebensdauer des CDF Siliziumdetektors abgeschätzt.