Heidelberg 2007 – scientific programme
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 403: Halbleiterdetektoren III
T 403.1: Talk
Thursday, March 8, 2007, 16:45–17:00, KIP Gr. HS
Untersuchungen von Rausch Performance und Strahlenhärte von DEPFET-Pixelsensoren — •Stefan Rummel für die DEPFET-Kollaboration — MPI für Physik, Föhringer Ring 6 80805 München
Der am MPI Halbleiterlabor (HLL) entwickelte DEPFET-Pixelsensor wird als möglicher Kandidat für den Einsatz im ILC Vertex Detektor betrachtet. Für diesen Einsatz sind hervorragende Ortsauflösung, ein Materialbudget von ungefähr 0.1%X0, eine hohe Nachweiseffizienz und eine ausreichende Strahlungstoleranz notwendig.
Beim DEPFET handelt es sich um ein neuartiges Detektorkonzept, bei dem die erste Verstärkung mittels eines, auf dem vollständig depletierten Substrat integriertem, MOS-Feldeffekttransistor stattfindet.
Die Nachweiseffizienz wird vom S/N des DEPFET bestimmt. Das erzeugte Signal, ist proportional zur Steilheit des internen Gates, dem sog. gq. Für ein hohes S/N ist daher ein hohes gq als auch ein geringes Rauschen notwendig. Diese Aspekte wurden an DEPFET Strukturen mit unterschiedlichen Layouts untersucht und werden hier vorgestellt.
Wie alle MOS-Bauelemente ist auch der DEPFET suszeptibel für Strahlungsschäden, anhand von Bestrahlungen mit γ-Strahlung, Neutronen und Protonen wurden die verschiedenen Einflüsse auf das MOS-Interface und Bulk untersucht.