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T: Fachverband Teilchenphysik
T 603: Halbleiterdetektoren V
T 603.4: Vortrag
Freitag, 9. März 2007, 17:35–17:50, KIP Gr. HS
IR-Lasertests von 3D-Silizium-Detektoren — •Thies Ehrich1, Susanne Kuehn2, Simon Eckert2, Karl Jakobs2 und Ulrich Parzefall2 — 1Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, jetzt Max-Planck-Institut für Physik, München — 2Albert-Ludwigs-Universität Freiburg
Für das Jahr 2015 ist ein Upgrade des LHC (SLHC) geplant. Ziel ist es, die Luminosität um eine Grössenordnung zu erhöhen, was eine erheblich höhere Strahlenbelastung für die Halbleiter-Sensoren nach sich zieht. Die in bestehenden LHC-Spurdetektoren verwendeten p-in-n Siliziumdetektoren haben bei solch hohen Strahlungsdosen eine Lebenserwartung von einem Jahr. Daher werden für Spurdektoren im SLHC wesentlich strahlenhärtere Detektoren als bisher benötigt.
In Freiburg wurden mit Hilfe der SCT Front-End-Elektronik n-in-p 3D-Detektoren (n-dotierte Säulen in einem p-Substrat) ausgelesen, die einen geringeren Verlust der Ladung durch Trapping aufweisen und deshalb nach der Bestrahlung grössere Signale liefern sollten als planare Detektoren. Mit einem IR-Laser wurden bei unterschiedlichen Bias-Spannungen ortsaufgelöste Signal-Messungen durchgeführt.
Im Vortrag werden der Aufbau des Testsystems und die gewonnenen Ergebnisse vorgestellt.