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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 13: Poster 1

HL 13.15: Poster

Montag, 26. März 2007, 15:00–17:30, Poster A

Frequenzaufgelöste Spektroskopie an GaAs/(AlGa)As-Heterostrukturen — •Jonas Haunschild¹, Sangam Chatterjee¹, Peter Thomas¹, Wolfgang W. Rühle¹, Andreas D. Wieck², Galina Khitrova³ und Hyatt M. Gibbs³ — ¹Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg, Renthof 5, D-35032 Marburg, Germany — ²Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum, Germany — ³College of Optical Sciences, The University of Arizona, Tucson, Arizona 85721, USA

Die frequenzaufgelöste Spektroskopie bietet die Möglichkeit, die Lebensdauerverteilung photogenerierter Ladungsträger über viele Dekaden hinweg mittels Photolumineszenz (PL) zu untersuchen. Aus der um 90° phasenverschobenen Komponente des modulierten PL-Signals kann dabei auf die Lebensdauer der angeregten Zustände geschlossen werden. Im Experiment wird ein HeNe-Laser bei 632,8 nm eingesetzt. Der Laser wird von 10 Hz bis 10 MHz moduliert. Somit können Lebensdauern von 100 ms bis 100 ns erfasst werden. An einer Probe mit 60x8,2 nm GaAs-Quantenfilmen zwischen 10 nm AlAs-Barrieren wurde eine Doppelstruktur der Lebensdauerverteilung mit Maxima bei 1 ms und 1 μs gefunden. An einer Probe mit zwölf unterschiedlichen GaAs-Quantenfilmen von Schichtdicken zwischen 3,3 nm bis 19,8 nm wird der Einfluss von Unordnungseffekten auf die Lebensdauerverteilung der Ladungsträger untersucht. Die quantenmechanischen Rechnungen mit Unordnungspotentialen deuten auf eine Verbreiterung der Lebensdauerverteilung mit zunehmender Unordnung hin.