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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 13: Poster 1

HL 13.52: Poster

Montag, 26. März 2007, 15:00–17:30, Poster A

Einfluss der Elektronen-Injektion auf den trägheitsballistischen Transport in nanoskaligen Si/SiGe-Wellenleiterstrukturen — •Gang Qiao¹, Ulrich Wieser¹, Ulrich Kunze¹ und Thomas Hackbarth² — ¹Werkstoffe und Nanoelektronik, — ²DaimlerCrysler Forschungszentrum Ulm, D-89081 Ulm

Ausgehend von einer modulationsdotierten Si/SiGe-Heterostruktur mit hoher Elektronenbeweglichkeit werden nanoskalige mehrfach verzweigte elektronische Wellenleiter präpariert, um daran trägheitsballistische Effekte im Elektronentransport zu untersuchen. Die Wellenleiterstrukturen sind aus einem zentralen orthogonalen Kreuz und zwei zusätzlichen Verzweigungen zusammengesetzt, die längs der vertikalen Kreuz-Achse auf beiden Seiten der Kreuzungsstelle angebracht sind. In beide Verzweigungen mündet je ein parallel zur horizontalen Kreuz-Achse orientierter, geradliniger Wellenleiter. Zwischen der zentralen Kreuzungsstelle und einem dieser Wellenleiter wird eine lokale Barriere erzeugt. Die Barriere soll eine effiziente Injektion ballistischer Elektronen ermöglichen und kann durch eine nanoskalige Gate-Elektrode quer zur vertikalen Kreuz-Achse oder durch eine Engstelle in dieser Achse erzeugt werden. Mit 2- und 4-Punkt Messungen der lokalen und nichtlokalen I-U-Kennlinien wird bei T = 4.2 K der Einfluss der Injektionsbedingungen auf trägheitsballistische Effekte untersucht. Im Regime heißer Elektronen findet sich in den lokalen I-U-Kennlinien ein negativ differenzieller Leitwert, der auf die Emission eines Intervalley-Phonons zurückgeführt wird.