Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 27: II-VI semiconductors

HL 27.1: Vortrag

Mittwoch, 28. März 2007, 14:15–14:30, H13

Neue ungewöhnliche Diffusionsprofile in II-VI Halbleitern — •Jörg Kronenberg¹, Frank Wagner¹, Herbert Wolf¹, Thomas Wichert¹ und ISOLDE Collaboration² — ¹Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — ²CERN, CH-1211 Genf 23, Schweiz

Nach Implantation von ¹¹¹Ag und ⁶⁷Cu in die Halbleiter CdTe und CdZnTe und Diffusion unter Cd-Druck werden symmetrische Profilformen beobachtet, die in der Mitte des Kristalls eine hohe und in den bis 250 µm tiefen Randzonen eine niedrige Ag bzw. Cu Konzentration zeigen [1]. Diese unterscheiden sich von gewöhnlichen Diffusionsprofilen, die sich in einer monotonen Abnahme des Konzentrationsprofils äußern. In den hier vorgestellten Experimenten wurde untersucht, ob ähnliche Diffusionsprofile auch mit anderen Dotieratomen in II-VI Halbleitern beobachtet werden können. Hierfür wurden in CdTe, CdZnTe und CdS ²⁴Na, ⁴³K, ⁵⁶Mn, ⁶⁵Ni und ⁵⁹Fe mit einer Energie von 60 keV in 500 µm bis 800 µm dicke CdTe, CdS oder CdZnTe Einkristalle implantiert und diese zwischen 750 K und 900 K getempert. Ähnliche Effekte wie für Ag oder Cu in CdTe konnten für ²⁴Na in CdTe und CdS sowie für ⁶⁵Ni in CdZnTe beobachtet werden. Für ⁴³K, ⁵⁶Mn und ⁵⁹Fe dagegen konnten in keinem der drei untersuchten Materialien solche Profile gefunden werden.
Gefördert durch das BMBF, Projekte 05KK1TSB/7 und CZE 3/002.
H.Wolf et al., Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 125901.