Regensburg 2007 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 42: GaN: devices

HL 42.1: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2007, 14:00–14:15, H13

Anforderungen an die Schichtstrukturen von grün emittierenden GaInN-Lasern — •Daniel Dräger¹, Carsten Netzel¹, Uwe Rossow¹, Daniel Fuhrmann¹, Andreas Hangleiter¹ und David Schenk² — ¹Institut für Angewandte Physik, TU Braunschweig, Deutschland — ²CRHEA-CNRS, Valbonne, Frankreich

Um effiziente GaInN-Laserstrukturen mit einer Emission im grünen Spektralbereich zu verwirklichen, bedarf es gegenüber blauen GaInN-Laserstrukturen eines neuen Designs der Quantenfilme und der Schichtstrukturen, die die Lasermode führen. Um Parameter dieses neuen Designs zu ermitteln, wurden an GaInN separate confinement Laserstrukturen verschiedener Emissionswellenlänge von 415 bis 485nm, gewachsen auf unterschiedlichen Substraten bei CRHEA-CNRS und an der TU Braunschweig, optische Verstärkungsmessungen durchgeführt und zu den Strukturen theoretische Berechnungen des Confinements und der Verstärkungsspektren vorgenommen. Um den grünen Spektralbereich im Laserbetrieb zu erreichen, muss gegenüber blau emittierenden Laserstrukturen vor allem die Indiumkonzentration stark erhöht werden. Für grün emittierende Strukturen verringert sich der Modeneinschluss im Wellenleiter und damit der Confinementfaktor der Mode in den GaInN-Quantenfilmen. Dem kann mit einer Optimierung der Wellenleiterdicke und einer Erhöhung der Mantelschichtdicken entgegengewirkt werden. Ein Wachstum von Laserstrukturen auf defektreduziertem Substrat führt zu größeren Verstärkungswerten. Die Wachstumsbedingungen müssen aber auf jeweils unterschiedlichen Substraten neu angepasst werden.