Regensburg 2007 – scientific programme
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 42: GaN: devices
HL 42.7: Talk
Thursday, March 29, 2007, 15:30–15:45, H13
Optimierung von Nitrid-basierten sichtbaren und ultravioletten Lichtemittern — •Daniel Fuhrmann, Holger Jönen, Uwe Rossow, Carsten Netzel, Lars Hoffmann, Heiko Bremers und Andreas Hangleiter — Institut für Angewandte Physik, Technische Universität Braunschweig
Trotz hoher Defektdichte wurden (Ga,In,Al)N-basierte Lichtemitter im blauen und violetten Spektralbereich mit sehr hohen Quantenausbeuten realisiert. In diesem Beitrag versuchen wir Ursachen für den Abfall der Effizienz sowohl zu grösseren (λpeak>500nm) als auch zu kleineren (λpeak<365nm) Emissionswellenlängen aufzuzeigen. Daraus ergeben sich Möglichkeiten zur Optimierung sowohl von grün/rot emittierenden InGaN/GaN QWs mit hohem In-Gehalt als auch von In-freien GaN/AlGaN QWs hinsichtlich hoher interner Quantenausbeute (IQE). Es zeigt sich, dass die optischen Eigenschaften und die IQE in beiden Fällen maßgeblich von der strukturellen Qualität der aktiven Zone abhängen. Zusätzlich müssen Unterbau, Spacer, Elektronenbarriere und Deckschicht optimiert werden. Im grünen/roten Spektralbereich kann der starke Abfall der IQE durch das Wachstum dünner QWs mit hohem In-Gehalt minimiert werden. Dabei muß die Degradation des InGaN QWs durch zu hohe Wachstumstemperaturen der Deckschicht verhindert werden. Messungen der IQE an In-freien UV-emittierenden GaN/AlGaN QWs zeigen, dass die die IQE limitierenden Prozesse denen in InGaN/GaN QWs sehr ähnlich sind. Auf gleiche Weise können auch GaN/AlGaN QWs mit hoher IQE hergestellt werden.