Regensburg 2007 – scientific programme
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 46: Poster 2
HL 46.12: Poster
Thursday, March 29, 2007, 15:00–17:30, Poster A
Untersuchungen zur Temperaturstabilität von InGaN/GaN-Quantenfilmen mit hohem Indiumgehalt — •Holger Jönen, Daniel Fuhrmann, Lars Hoffmann, Heiko Bremers, Carsten Netzel, Uwe Rossow und Andreas Hangleiter — Institut für Angewandte Physik, TU Braunschweig
Beim Wachstum von InGaN/GaN-Quantenfilmstrukturen werden die InGaN-QWs während des nachfolgenden GaN-Wachstums hohen Temperaturen ausgesetzt. Insbesondere bei Proben mit hohem Indiumgehalt (xIn≈ 30 %) ist dadurch eine Verschlechterung der optischen Eigenschaften zu befürchten. Zur Überprüfung der thermischen Stabilität von InGaN-QWs mit unterschiedlichem In-Gehalt (10%≤ xIn≤ 35 %) haben wir einerseits die Wachstumstemperatur der GaN-Deckschicht Tcap variiert und zudem die Proben nach dem Wachstum getempert. Die von uns untersuchten Proben werden mittels Niederdruck-MOVPE gewachsen und mit Hilfe von XRD, TEM und AFM charakterisiert. Zur Messung der optischen Eigenschaften und zur Bestimmung der IQE benutzen wir temperatur- und leistungssabhängige PL. Bei den PL-Messungen zeigen die Proben nach dem Tempern eine Abnahme der Intensität, die abhängig ist von der Probenstruktur (xIn,Tcap) sowie von der Temperatur und der Dauer des Heizvorgangs. Einige Proben weisen darüber hinaus eine Blauverschiebung der Peaklage auf. Eine solche Blauverschiebung sowie eine Abnahme der Oszillatorstärke erhält man auch durch Modellrechnungen, unter der Annahme, dass Indium aus dem QW ins umliegende Material diffundiert und die Grenzflächen aufweichen.