Regensburg 2007 – scientific programme
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 46: Poster 2
HL 46.25: Poster
Thursday, March 29, 2007, 15:00–17:30, Poster A
Herstellung und Implantation von 172Lu(172Yb) in GaN — •Riccardo Valentini und Reiner Vianden — Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik der Universität Bonn, Nußallee 14-16, 53115 Bonn, Deutschland
Für optoelektronische Bauteile werden Halbleiter mit großer Bandlücke verwendet, die mit Seltenen Erden dotiert sind. Um deren Verhalten nach der Implantation zu untersuchen, hat sich die Methode der γ-γ-Winkelkorrelation (PAC) bewährt. Ein geeignetes Isotop zur Untersuchung solcher Halbleiter ist 172Yb.
Bisher wurde das Mutterisotop 172Lu am CERN (ISOLDE Facility) hergestellt und implantiert. Die relativ starke Kontamination des ISOLDE-Strahls mit Molkülen gleicher Masse, die 7- bis 10-tägige Dauer des Probentransport zum Messort und die seltene Verfügbarkeit des Isotops an ISOLDE haben uns dazu bewegt das 172Lu vor Ort herzustellen und zu implantieren. Durch Bestrahlung einer Thulium-Folie mit 4He, 169Tm(α,n)172Lu, erfolgt so die Herstellung am Bonner Isochron-Zyklotron und die Implantation am Bonner Isotopenseparator.
Wir führen Testmessungen von 172Lu(172Yb) in GaN durch, um den Herstellungsprozess am Bonner Zyklotron und Isotopenseparator zu optimieren. Die Messungen werden auf einer PAC-Anlage durchgeführt, die das Material LSO als Szintillator benutzt. Dadurch soll eine bessere Energieauflösung, eine höhere Anisotropie und eine kürzere Messzeit erzielt werden.