Regensburg 2007 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 46: Poster 2

HL 46.29: Poster

Donnerstag, 29. März 2007, 15:00–17:30, Poster A

Ausheilverhalten von AlN nach der Implantation von ¹¹¹In — •Julianna Schmitz, Jakob Penner und Reiner Vianden — Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik der Universität Bonn, Nußallee 14-16, 53115 Bonn

Nach der Implantation des Isotops ¹¹¹In in AlN-Filme auf Saphir wurde ein isochrones Ausheilprogramm durchgeführt und die einzelnen Ausheilstadien mit der Methode der gestörten Winkelkorrelation (PAC) untersucht. Bereits in einem niedrigen Temperaturbereich zwischen 200 und 500^∘C zeigen sich deutliche Veränderungen: Der Anteil von Sonden mit einer weitgehend ungedämpften Wechselwirkung (ν_Q=28 MHz) steigt bis auf 50%. Orientierungsmessungen bestätigen die Ausrichtung des zugehörigen elektrischen Feldgradienten entlang der c-Achse, wie er für Indium auf einem ungestörten Al-Gitterplatz erwartet wird.

Weitere 40% der Sonden erfahren eine Wechselwirkung, deren Frequenz nach Tempern oberhalb 500^∘C bis auf ca. 300 MHz steigt. Gleichzeitig nimmt die Dämpfung stark ab. Diesen Anteil könnte man einem Defekt zuordnen. Allerdings zeigt sich bei der Untersuchung der Temperaturabhängigkeit, dass diese Frequenz immer langsamer wird, bis sie oberhalb von 600^∘C der Gitterfrequenz entspricht. Dieses Verhalten ist reversibel.

Die Resultate werden mit dem bereits gut untersuchten Verhalten von ¹¹¹In in GaN verglichen.