Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 46: Poster 2

HL 46.34: Poster

Donnerstag, 29. März 2007, 15:00–17:30, Poster A

Untersuchung des optischen Gewinns an GaAsSb Quantenfilmen — •Michael Schwalm¹, Christoph Lange¹, Sangam Chatterjee¹, Christina Bückers¹, Angela Thränhardt¹, Stephan W. Koch¹, Wolfgang W. Rühle¹, Shane R. Johnson², Jiangbo Wang² und Young-Hang Zhang² — ¹Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg — ²Center for Solid State Electronics Research & Department of Electrical Engineering, Arizona State University

Ein Hauptforschungsziel im Bereich der Optoelektronik besteht darin, Emitter im Wellenlängenbereich von 1,3μm bis 1,55μm für glasfaserbasierte oder aber jenseits von 2μm für freie Kommunikation auf Basis des leicht zu handhabbaren Substrats GaAs herzustellen. Eine Möglichkeit, um die Emissionswellenlänge zu erhöhen, ist der Einbau von Antimon in GaAs-Quantenfilme. Untersucht wurde die optische Verstärkung an einer Probenreihe von 7nm dicken GaAs0.64Sb0.36 Quantenfilmen, welche in verschieden dicke GaAs-Barrieren eingebettet sind. Mit Hilfe der Strichlängenmethode, bei der die Probe entlang eines Strichs variabler Länge optisch angeregt und die Emission entlang des gepumpten Kanals spektral aufgelöst gemessen wird, ist der optische Gewinn für eine quasi Dauserstrichanregung direkt zugänglich. Die spektrale Breite der Photolumineszenz und die Emissionseffizienz werden mit zunehmender Dicke der Barrieren größer. Bei allen Proben wird Verstärkung mit einer Brandbreite im Bereich von 200nm und einem Maximalwert bis zwischen 140/cm für 0nm Barrierendicke bis zu 220/cm bei 9nm Barrierendicke beobachtet.