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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 6: Quantum dots and wires: preparation and characterization I

HL 6.8: Vortrag

Montag, 26. März 2007, 12:45–13:00, H15

Herstellung von InAs/GaAs-Quantenpunktstrukturen zur Ladungsträgerspeicherung — David Feise, •Konstantin Pötschke, Andreas Marent, Martin Geller, Udo Pohl und Dieter Bimberg — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Aufgrund der steigenden Verbreitung portabler IT-Geräte sind insbesondere nicht-flüchtige Festkörperspeicher hoher Kapazität stark nachgefragt. Diese Flash-Speicher benötigen zur Ladungsträgerspeicherung allerdings ein Barrierenmaterial, dessen Haltbarkeit durch den Betrieb des Bauelements limitiert ist.

Quantenpunkte sind ideal als Speicherort für Ladungsträger, da sie ausschließlich diskrete Energiezustände enthalten und sich gezielt mit einzelnen Ladungsträgern beladen lassen. Theoretisch ist für Quantenpunkt-Speicher eine Schreibzeit von unter einer Nanosekunde möglich, so daß ein solches Speicherbauelement auch als Arbeitsspeicher verwendbar wäre.

In diesem Vortrag wird das Konzept und die Herstellung einer InAs/GaAs-Quantenpunktstruktur zur Ladungsträgerspeicherung mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie vorgestellt. Der Speicherszustand der Quantenpunkte kann mit Hilfe eines 2D-Elektronengases (2DEG) ausgelesen werden. Zur Verlängerung der Speicherzeit wird eine AlGaAs-Barriere eingesetzt. Die Wachstumsbedingungen für das 2DEG und der Einfluß des InGaAs-Quantenfilms auf die optimalen Wachstumsbedingungen der Quantenpunkte werden diskutiert.