Regensburg 2007 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 7: III-V semiconductors I

HL 7.5: Vortrag

Montag, 26. März 2007, 12:00–12:15, H17

MOCVD Prozessentwicklung und Charakterisierung von AlIn/GaN-HEMT-Strukturen — Steffen Weller¹, Christoph Giesen¹, Lars Rahimzadeh-Khoshroo², Michael Fieger², Martin Eichelkamp², Holger Kalisch², Andrei Vescan², Rolf Jansen² und •Michael Heuken^1,2 — ¹AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, 52072 Aachen — ²Institut für Theoretische Elektrotechnik, RWTH Aachen, Kopernikusstr. 16, 52074 Aachen

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden MOCVD-Prozesse für die Herstellung von AlInN/GaN-Heterostrukturen für HEMTs (High Electron Mobility Transistors) entwickelt. Zunächst wurden Basisprozesse für die Abscheidung von AlInN auf Saphir untersucht. Es wurde der jeweilige Einfluss der wichtigsten Prozessparameter auf die strukturellen, morphologischen und elektrischen Schichteigenschaften untersucht. Anschließend wurde die komplette AlInN/GaN-Heterostruktur hinsichtlich ihrer elektrischen Eigenschaften optimiert. Der Schwerpunkt der Optimierung lag auf dem In-Gehalt in der AlInN-Barriere und den Wachstumsparametern an der AlInN-GaN-Grenzfläche. Es hat sich gezeigt, dass sich eine ca. 1 nm dicke AlN Zwischenschicht positiv auf die elektrischen Eigenschaften der Heterostruktur auswirkt. An optimierten Strukturen wurden n_S = 2,3·10¹³ cm⁻² und µ = 700 cm²/Vs gemessen. Neben der detaillierten Darstellung der Wachstumsexperimente und der Schichtcharakterisierung werden auch die Eigenschaften von ersten fertig prozessierten AlInN/GaN-HEMTs diskutiert werden.