Regensburg 2007 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 7: III-V semiconductors I
HL 7.6: Vortrag
Montag, 26. März 2007, 12:15–12:30, H17
MOVPE Wachstum und Charakterisierung von AlInN Schichten auf Si(111) — •C. Hums, A. Gadanecz, A. Dadgar, J. Bläsing, T. Hempel, A. Krtschil, A. Dietz, J. Christen und A. Krost — Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, FNW/IEP/AHE, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg
Das große Potential von AlInN / GaN Heterostrukturen für elektronische und opto-elektronische Bauelemente wurde durch das MOVPE Wachstum von hoch reflektierenden Bragg-Spiegeln und n-Kanal FETs bereits demonstriert. AlInN wächst bei einer Indiumkonzentration von ≈17 % gitterangepasst auf GaN. Auf Grund der pyroelektrischen Eigenschaften bei gitterangepasstem Wachstum auf GaN wurde von Dadgar et al. ein n-Kanal FET realisiert. Um eine nitridische Hochtemperatur-CMOS-Logik zu realisieren, ist zusätzlich ein p-Kanal FET notwendig. Dieser wird im selben Materialsystem ab einer Indium Konzentration von ≈34 % bei pseudomorphem Wachstum auf GaN durch die dann vorhandenen starken piezoelektrischen Felder prognostiziert. Mittels MOVPE wurden Al1−xInxN Schichten mit Konzentrationen von 0.09<x<1 gewachsen und mit FEREM und Röntgenbeugung charakterisiert. Es kann gezeigt werden, daß Al1−xInxN bis zu x<0.5 mischbar ist. Bei höheren Konzentrationen kommt es zur Phasenseparation, wobei sich eine stabile Phase mit x≈0.6 ausbildet. Mit steigendem Indiumgehalt nimmt die Qualität der Morpholgie ab. Um pseudomorphe Schichten mit hohen Konzentrationen herstellen zu können, wurde detaillert der Zusammenhang zwischen Indiumgehalt, Schichtdicke und Verspannung untersucht.