Regensburg 2007 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 9: Semiconductor Laser II
HL 9.8: Vortrag
Montag, 26. März 2007, 16:30–16:45, H13
Optische Eigenschaften von (GaIn)(NAs) und Ga(AsSb) - ein Vergleich — •Angela Thränhardt1, Christina Bückers1, Christoph Schlichenmaier1, Stephan W. Koch1, Jörg Hader2 und Jerome V. Moloney2 — 1Philipps-Universität Marburg, Fachbereich Physik, Renthof 5, 35032 Marburg — 2Arizona Center for Mathematical Sciences, The University of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA
Der Wellenlängenbereich von 1.3mum bis 1.55 mum ist wegen des dort angesiedelten Dispersions- und Absorptionsminimums von Glasfasern ein für Laseranwendungen hochinteressantes Regime. Insbesondere GaAs-basierte Materialsysteme ermöglichen eine einfache Realisierung von oberflächenemittierenden Lasern. Zwei Kandidaten, die sich hier anbieten, sind die verdünnten Nitride sowie Ga(AsSb). In diesem Beitrag wird gezeigt, dass die optischen Eigenschaften beider Materialsysteme mikroskopisch realistisch modellierbar sind, und ein detaillierter Vergleich im Bezug auf typische Lasereigenschaften wie Gewinn und Linienbreitenfaktor präsentiert.