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MA: Fachverband Magnetismus

MA 27: Micro- and Nanostructured Magnetic Materials II

MA 27.13: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2007, 18:15–18:30, H22

Elektronischer Transport in Co Leiterbahnstrukturen mit Engstellen — •Patryk Krzysteczko¹ und Günter Dumpich² — ¹Fakultät für Physik, Universität Bielefeld, 33615 Bielefeld — ²Experimentalphysik, Universität Duisburg-Essen, 47048 Duisburg

Der elektronische Transport in ferromagnetischen Nanokontakten wird im Hinblick auf das Auftreten des ballistischen Magnetowiderstandes (BMR) untersucht. Die Nanokontakte entstehen durch Engstellen in polykristallinen, T-förmigen Kobalt-Leiterbahnstrukturen, die mit Hilfe von hochauflösender Elektronenstrahllithografie und Elektronenstrahlverdampfung hergestellt werden. Es ist uns gelungen, die Breite des Nanokontaktes auf 6 nm zu minimieren. Der Einfluss des Nanokontaktes auf den elektronischen Transport wird zunächst qualitativ durch einen Vergleich unterschiedlich breiter Nanokontakte bestimmt. Hierbei zeigt sich, dass das Ummagnetisierungsverhalten der Leiterbahnstrukturen durch den anisotropen Magnetowiderstand (AMR) dominiert wird. Für eine quantitative Auswertung der Magnetowiderstandskurven wird die Anisotropiekonstante, die Koerzitivfeldstärke, der anisotrope Magnetowiderstandseffekt und der Engstellenwiderstand bestimmt. Alle diese Parameter zeigen keine eindeutige Abhängigkeit von der Breite des Nanokontaktes. Daher kann kein signifikanter, auf dem ballistischen Magnetowiderstandseffekt beruhender Beitrag zum Magnetowiderstandsverhalten der Untersuchten Leiterbahnstrukturen abgeleitet werden.