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MM: Fachverband Metall- und Materialphysik

MM 32: Diffusion and point defects I

MM 32.4: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2007, 11:00–11:15, H6

Ungewöhnliche Diffusion von Ag und Cu in CdTe — •Herbert Wolf¹, Frank Wagner¹, Thomas Wichert¹ und ISOLDE Collaboration² — ¹Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — ²CERN, CH-1211 Genf 23, Schweiz

Normale Diffusion äußert sich in einer von der Quelle ausgehenden monotonen Abnahme des Konzentrationsprofils. Im Gegensatz dazu zeigen die Diffusionsprofile von Ag und Cu in den II-VI Halbleitern CdTe, ZnTe und CdZnTe ein völlig anderes Verhalten, wenn die Diffusion unter einem externen Dampfdruck der Metallkomponente durchgeführt wird [1]. So wird in CdTe nach Implantation von ¹¹¹Ag oder ⁶⁷Cu und Tempern bei 825 K ein Profil beobachtet, das symmetrisch im Querschnitt des 800 µm dicken Kristall liegt, wobei die ¹¹¹Ag Konzentration im Zentrum gegenüber den Randschichten fast stufenartig zunimmt und dort 20-fach erhöht ist. Wird hingegen das Diffusionstempern unter externem Te Druck durchgeführt, tritt in den Randbereichen des CdTe Kristalls eine gegenüber dem Kristallinneren stark erhöhte Ag Konzentration auf. Ein quantitatives Modell wird vorgestellt. Dieses Modell berücksichtigt den Einfluss des externen Dampfdrucks während des Temperns und damit die durch die Diffusion intrinsischer Defekte verursachte Änderung der Stöchiometrieabweichung des CdTe Kristalls. Außerdem wird die elektrische Drift geladener Defekte im internen elektrischen Feld, das durch die Konzentrationsprofile der geladenen Defekte verursacht wird, berücksichtigt.
Gefördert durch das BMBF, Projekte 05KK1TSB/7 und CZE 3/002.
H.Wolf et al., Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 125901.