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O: Fachverband Oberflächenphysik

O 24: Semiconductor Substrates: Epitaxy and Growth

O 24.6: Vortrag

Dienstag, 27. März 2007, 12:30–12:45, H39

Untersuchung der Homoepitaxie auf GaAs(001) mit Molekularstrahlepitaxie und in-situ-STM — •Sylvia Hagedorn, Jan Grabowski, Holger Eisele und Mario Dähne — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, PN4-1, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin

Mit einer UHV-Anlage zur Molekularstrahlepitaxie (MBE) mit den Komponenten Indium, Gallium und Arsen, die mit einem Rastertunnelmikroskop (STM) gekoppelt ist, wurde die Homoepitaxie von GaAs auf GaAs(001) untersucht. Ziel ist es, den Einfluss verschiedener Substratrekonstruktionen auf das Wachstum von InAs-Quantenpunkten zu studieren. Nach der Reinigung von GaAs(001)-Wafern durch Ionenbeschuss und Ausheilen (IBA-Zyklus) wurden grundlegende Wachstumsparameter wie Probentemperatur, Teilchenfluss und Wachstumsrate variiert, um verschiedene Oberflächenrekonstruktionen zu erzielen. Hierbei wurde die Homoepitaxie von GaAs auf GaAs(001) erfolgreich durchgeführt. Bei verschiedenen Präparationsbedingungen konnte die Präparation der GaAs(001) beta2(2x4)-Rekonstruktion sowie der GaAs(001) c(4x4)-Rekonstruktion durchgeführt und mit Reflektion hochenergetischer Elektronen (RHEED) kontrolliert werden. In STM-Untersuchungen mit atomarer Auflösung konnten weite defektarme Oberflächenbereiche beobachtet werden. STM-Untersuchungen des Wachstums von InAs-Quantenpunkten auf diesen GaAs(001)-Oberflächen stehen kurz bevor.