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BP: Fachverband Biologische Physik
BP 23: Electrical Stimulation and Recording
BP 23.4: Vortrag
Donnerstag, 28. Februar 2008, 12:45–13:00, PC 203
Realisierung von GaN FET-Arrays zur ortsaufgelösten Messung von elektrochemischen Potentialen in flüssigen Medien — •Mathias Müller1, Jürgen Bläsing1, Thomas Hempel1, Michael Charpentier1, Oliver Schulz2, Antje Reiher2, Hartmut Witte1, Armin Dadgar1,2, Jürgen Christen1 und Alois Krost1,2 — 1Otto-von-Guericke-Universität, Magdeburg — 2AZZURRO Semiconductors AG, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg
GaN, AlGaN und AlN, als chemisch weitgehend inerte Halbleiter, sind hervorragend geeignet zur Analyse systemspezifischer Parameter in chemisch reaktiven Lösungen. Da für viele chemische Reaktionen der pH-Wert von großer Bedeutung ist, wird dieser mit Hilfe von GaN/AlGaN/GaN FET-Arrays ortsaufgelöst bestimmt. Bei diesen Bauelementen wirkt das elektrochemische Potential der Elektrolytlösung als Gate. Um die mittels MOVPE auf Saphir-Substraten abgeschiedenen FETs prozessieren zu können, muss ein Lithographiemasken-Layout für die FET-Arrays entwickelt werden. Die Sensorgrößen und -abstände werden dabei so gewählt, dass in verschiedenen Lösungen Änderungen des chemischen Potentials analysiert werden können. Die Güte der GaN/AlGaN/GaN-Struktur wird dabei durch Röntgendiffraktometrie, Hall-Effekt-Messungen und C-V-Messungen an den zu prozessierenden Wafern bestimmt. Die Abhängigkeit des Source-Drain-Stromes vom pH-Wert wird am Beispiel einer Titrierung mit 100 mMol NaCl / 10 mMol Hepes Lösung demonstriert. Dabei wird der pH-Wert mit verdünnter NaOH oder HCl eingestellt.