Berlin 2008 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
DF: Fachverband Dielektrische Festkörper
DF 13: Dielectric and ferroelectric thin films and nanostructures III
DF 13.3: Talk
Thursday, February 28, 2008, 14:40–15:00, EB 107
Hyperfeinwechselwirkung in dünnen Schichten von HfO2 — •Michael Steffens1, Reiner Vianden1 und Andre Stesmans2 — 1Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14-16, 53115 Bonn, Germany — 2Dept. of Physics, Celestijnenlaan 200D, 3001 Leuven, Belgium
Das „high-κ“-Dielektrikum HfO2 soll als Nachfolger von SiO2 als Gate-Oxid in MOSFET-Strukturen eingesetzt werden. In dieser Technologie gefertigte Chips haben bereits Marktreife erreicht. Durch diesen Übergang wird der Weg für eine weitere zukünftige Leistungssteigerung im Sinne des Mooreschen Gesetzes ermöglicht. Zwar wurde HfO2 in den vergangenen Jahren intensiv studiert, vollständig verstanden sind seine Eigenschaften jedoch nicht.
Die Hyperfeinwechselwirkung des Hf in 100 nm dünnen Schichten HfO2 wurde mit der gestörten γ−γ-Winkelkorrelation (PAC) untersucht. Die PAC eignet sich besonders für die Bestimmung der lokalen Umgebung eines Sondenkerns im Material. Die PAC-Sonde 181Hf wird durch Neutronenaktivierung des natürlich in den Proben vorkommenden 180Hf erzeugt. Die Filmproben sind mit ALCVD und MOCVD auf einem einkristallinen (100)Si-Substrat gewachsen.
An verschieden thermisch behandelten Proben wurden PAC-Messungen durchgeführt. Die Ergebnisse eines isochronen Ausheilprogramms und temperaturabhängiger Messungen werden gezeigt und im Vergleich zum Verhalten von gleichbehandeltem reinem HfO2 diskutiert. Schwerpunkt ist dabei die Kristallstruktur der Schichten und ihr Verhalten unter Temperatureinflüssen.