Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm

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DS: Fachverband Dünne Schichten

DS 17: Poster: Trends in Ion Beam Technology, Magnetism in Thin Films, Functional Oxides, High-k Dielectric Materials, Semiconductor Nanophotonics, Nanoengineered Thin Films, Layer Deposition Processes, Layer Growth, Layer Properties, Thin Film Characterisation, Metal and Amorphous Layers, Application of Thin Films

DS 17.56: Poster

Dienstag, 26. Februar 2008, 09:30–13:30, Poster A

Metall-PrCaMnO-Heterostrukturen: Struktur und remanente Widerstandsänderungen — •Julia Fladerer, Jörg Hoffmann, Peter Moschkau und Christian Jooss — Institut für Materialphysik, Universität Göttingen

Remanente Widerstandsänderungen in gepulsten elektrischen Feldern an Oxid-Metall Heterostrukturen sind vielversprechende Kandidaten für neue nichtflüchtige Speicher. PCMO Dünnfilme wurden mittels Ionenstrahlsputtern epitaktisch auf (100)-orientierten Pt-Filmen deponiert. Die Schichtdicke betrug ca. 120nm für die Pt- und 330nm für die PCMO-Schicht. Für verschiedene obere Elektrodenmaterialien (Pt, Au, Ag, Cu, Al, ITO) zeigten die Heterostrukturen stark unterschiedliches Verhalten der remanenten Widerstandsänderungen bei Raumtemperatur sowie der Strom-Spannungs-Kennlinien. Die zur Beschreibung der Manganate verwendeten Modelle der thermisch aktivierten Polaronen und der raumladungsbegrenzten Ströme können diese Beobachtungen nicht erklären. Es wird das Modell eines korrelierten Schottky-Kontaktes entwickelt, der Polaronenverhalten mit Bandverbiegung an der Metall-Oxid Grenzfläche verbindet und so qualitative Übereinstimmungen liefert.