Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm
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DS: Fachverband Dünne Schichten
DS 17: Poster: Trends in Ion Beam Technology, Magnetism in Thin Films, Functional Oxides, High-k Dielectric Materials, Semiconductor Nanophotonics, Nanoengineered Thin Films, Layer Deposition Processes, Layer Growth, Layer Properties, Thin Film Characterisation, Metal and Amorphous Layers, Application of Thin Films
DS 17.5: Poster
Dienstag, 26. Februar 2008, 09:30–13:30, Poster A
Zur Bildung von Ni-Hydriden in reaktiven Plasmen — •Marion Quaas1, Harm Wulff1, Oxana Ivanova2 und Christiane A. Helm2 — 1Institut für Biochemie, Universität Greifswald, Felix-Hausdorff-Straße 4, 17487 Greifswald — 2Institut für Physik, Universität Greifswald, Felix-Hausdorff-Staße 6, 17487 Greifswald
20 nm dicke Ni-Filme mit einer mittleren Domänengröße von 7 nm werden in einem Mikrowellen-Plasma (SLAN, 700W) in einem Gasgemisch von 10 sccm Ar/ 10 sccm H2 mit verschiedenen negativen Substratvorspannungen behandelt. Die Bildung fester kristalliner Ni-Hydride und die kinetischen Prozesse bei der Plasma-Wand-Wechselwirkung werden durch die Kombination von Röntgendiffraktometrie im streifenden Einfall (GIXD), Röntgenreflektometrie (XR) und Atomkraftmikroskopie (AFM) untersucht.
In Abhängigkeit vom Ionenenergieeinstrom entstehen verschiedene Reaktionsprodukte. Ohne Substratvorspannung entsteht kein Ni-Hydrid. Lediglich partielles Verdampfen/Sputtern und ein Kristallwachstum kleiner Ni-Domänen werden beobachtet. Bis -25 V bildet sich Ni2H, bei -50 V wandelt sich das Ni2H zu NiH um, bei -75 V entsteht direkt NiH.
Die Ni2H-Bildung erfolgt schnell, der Wachstumsprozeß der NiH-Phase wird durch die Vorspannung beeinflusst.
Die kinetischen Prozesse werden quantifiziert und diskutiert.