Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 31: Poster II

HL 31.32: Poster

Dienstag, 26. Februar 2008, 16:30–19:00, Poster D

Vergleich von transienten Kapazitätsspektroskopie-Methoden an selbstorganisierten Quantenpunkten — •Christiane Konetzni¹, Andreas Schramm², Christian Heyn¹ und Wolfgang Hansen¹ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Germany — ²Optoelectronics Research Center, Tampere University of Technology, Finland

Die Ladungsträgeremission sowie -Injektion in selbstorganisiert gewachsene InAs Quantenpunkte (QP) wird mit transienter Kapazitätsspektroskopie studiert. Die QP sind in Schottkydioden aus n-dotiertem GaAs eingebettet, die mittels Molekularstrahlepitaxie auf GaAs-(001)-Oberflächen hergestellt worden sind. Um an diesen Heterostrukturen die s- und p-artigen Quantenpunktniveaus sowie der Wettinglayerzustände zu studieren verwenden wir neben der konventionellen Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) verschiedene Methoden transienter Kapazitätsspektroskopien: die so genannte Reverse Deep Level Transient Spectroscopy (RDLTS) und die Constant Capacitance Deep Level Transient Spectroscopy (CC-DLTS) sowie die Tunneling Transient Spectroscopy (TT-DLTS). Die Kapazitätstransiente wird in den DLTS-, CC-, und TT-DLTS-Messungen von der Emissionsrate der in den QP befindlichen Ladungsträgern bestimmt, bei RDLTS-Messungen hingegen von deren Einfangrate. Wir vergleichen Spektren dieser Messverfahren und stellen die Vorteile der verschiedenen Messmethoden für unsere Untersuchungen vor.