Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 33: III-V semiconductors II

HL 33.7: Vortrag

Mittwoch, 27. Februar 2008, 16:00–16:15, EW 201

Eigenschaften des In-Defekt-Komplexes im III-V-Halbleiter AlN — •Bettina Steitz und Reiner Vianden — Helmholtz-Institut für Strahlen- und Kernphysik der Universität Bonn, Nußallee 14-16, 53115 Bonn

Nach Implantation des Isotops ¹¹¹In in einen AlN-Film auf Saphir-Substrat kann man mittels der Methode der gestörten Winkelkorrelation (PAC) beobachten, dass sich die radioaktiven Sonden nach einer Ausheiltemperatur von 1273K in unterschiedlichen Umgebungen befinden. Frühere Messungen zeigten, dass neben einem Anteil von 45%, der ein Verhalten aufweist, wie er für Indium auf einem ungestörten Al-Gitterplatz zu erwarten ist, der Rest erfährt eine weitere Wechselwirkung, wie sie für einen In-Defekt-Komplex typisch ist.

Um dessen Natur näher zu untersuchen, wurden die AlN-Proben zusätzlich mit verschiedenen Dosen von ¹¹⁵In und ²⁴Mg implantiert. Dies führte zu der Beobachtung, dass bei Implantation von ¹¹⁵In mit der Dosis 10¹⁴Ionen/cm² sowohl der Anteil der Sonden, auf die der Defekt wirkte, sank, wie auch die Gitterfrequenz sich verlangsamte. Im Gegensatz dazu führte eine Implantation von Mg mit der Dosis 10¹⁴Ionen/cm² zwar ebenfalls zu einer Abnahme des Defektanteils der Sonden, jedoch zu einem Anstieg der Gitterfrequenz.