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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 36: Poster III

HL 36.43: Poster

Mittwoch, 27. Februar 2008, 16:30–19:00, Poster D

Ortsaufgelöste Mikro-EL- und Mikro-PL-Spektroskopie an blauen InGaN/GaN LEDs auf Si(001) und Si(111) — •T. Fey¹, L. Reißmann¹, F. Schulze¹, A. Dadgar^1,2, J. Christen¹ und A. Krost^1,2 — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität, 39016 Magdeburg — ²AZZURRO Semiconductors AG, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg

Es wurden MOCVD-gewachsene blaue InGaN/GaN-MQW LEDs auf Si(001)- und Si(111)-Substrat mittels ortsaufgelöster μ-EL- und μ-PL Spektroskopie untersucht. Die Anregung erfolgte mit der 324 nm Linie eines He-Cd-Lasers, bzw. durch Injektionsströme von bis zu 200 mA. Bei beiden Meßmethoden wurden jeweils die identischen Probenausschnitte von 80x200 μm2 abgerastert. Beide Proben zeigen Fabry- Perot-Moden in ihrem Spektrum. Die LED auf Si(001) zeigt eine Blauverschiebung der PL- zur EL-Peakwellenlänge von 15-20 nm. Die Position des Fabry-Perot-Interferenzmusters verschiebt sich mit zunehmenden Strömen im Vergleich zur optischen Anregung. Dies kann nur mit einem veränderten Brechungsindex aufgrund sich ändernder Ladungsträgerdichten erklärt werden. Die einsetzende Rotverschiebung des EL-Peaks deutet auf ein Aufheizen der LED hin. Während die PL-Peakwellenlänge zufällig auf einer lateralen Skala <3 μm fluktuiert, treten Domänen von identischen EL-Peakwellenlängen mit 30-50 μm Ausdehnung bereits bei Strömen ab 50 mA auf. Offenbar werden lokale Potentialfluktuationen durch die hohe injizierte Ladungsträgerdichte ausgeglichen. Eine auf Si(111) gewachsene Vergleichs-LED zeigt ebenfalls eine blauverschobene PL-Peakwellenlänge.