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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 45: GaN devices

HL 45.1: Talk

Thursday, February 28, 2008, 09:30–09:45, EW 202

Dünnschicht-LEDs auf der Basis von InGaN/GaN MQW auf Si(111) — •Stephanie Fritze¹, Oliver Schulz², Annette Diez¹, Jürgen Bläsing¹, Lars Reißmann¹, Thomas Hempel¹, Armin Dadgar^1,2, Jürgen Christen¹ und Alois Krost^1,2 — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Deutschland — ²AZZURRO Semiconductors AG, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg

Gegenüber den bereits etablierten GaN-basierten LEDs auf Saphir oder SiC bieten Strukturen auf Silizium einen deutlichen Preisvorteil. Da Silizium jedoch über 94% des generierten Lichts absorbiert, müssen für Anwendungen in der Beleuchtungstechnik solche LEDs als verlustarme Dünnschicht-LEDs hergestellt werden. Dazu wurde nach dem Verlöten der LED auf einen leitfähigen Träger das Substrat mittels Dünnen und nasschemischem Ätzen entfernt. Kontaktwiderstände verschiedener p-Kontakte wurden mittels Transmissions-Linien-Modell (TLM)-Strukturen bestimmt und verglichen. Die Reflektivität der p-Kontakte, die gleichzeitig als Reflektor dienen, wurde für verschiedene Metallisierungen untersucht. Für eine Maximierung der Effizienz wurden verschiedene LED-Designs bezüglich einer homogenen Ladungsträgerinjektion analysiert. Die Dünnschicht-LEDs werden konventionell prozessierten Bauelementen gegenübergestellt, die aus den selben Halbleiterstrukturen hergestellt wurden. Hierzu werden diese bezüglich ihrer Emissionseigenschaften optisch und elektrisch charakterisiert.