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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 47: GaN: preparation and characterization I

HL 47.7: Vortrag

Donnerstag, 28. Februar 2008, 15:30–15:45, EW 202

Herstellung und Implantation von ¹⁷²Lu(¹⁷²Yb) in GaN und Messung bei tiefen Temperaturen — •Riccardo Valentini und Reiner Vianden — Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14-16, 53115 Bonn

Für optoelektronische Bauteile werden Halbleiter mit großer Bandlücke verwendet, die mit Seltenen Erden dotiert sind. Um deren Verhalten nach der Implantation zu untersuchen, hat sich die Methode der γ-γ-Winkelkorrelation (PAC) bewährt. Ein geeignetes Isotop zur Untersuchung solcher Halbleiter ist ¹⁷²Yb.

Die Herstellung des Mutterisotops ¹⁷²Lu erfolgt durch Bestrahlung einer Thulium-Folie mit ⁴He, ¹⁶⁹Tm(α,n)¹⁷²Lu, am Bonner Isochron-Zyklotron und die Implantation in GaN am Bonner Isotopenseparator, d.h. Herstellung und Implantation finden vor Ort statt.

Es soll die Temperaturabhängigkeit der Hyperfeinfelder für ¹⁷²Lu(¹⁷²Yb) in GaN untersucht werden. Wir führen Messungen bei tiefen Temperaturen zwischen 75 K und 295 K in einem Displex durch. Zu erwarten ist generell eine Zunahme der Wechselwirkungsfrequenz. Der Verlauf bei Temperaturen um 100 K konnte bisher noch nicht eindeutig geklärt werden. Die Messungen werden auf einer PAC-Anlage durchgeführt, die das Material LSO als Szintillator benutzt. Dadurch kann eine bessere Energieauflösung, eine höhere Anisotropie und eine kürzere Messzeit als mit anderen Szintillatormaterialien erzielt werden.