Berlin 2008 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 51: Poster IV

HL 51.5: Poster

Thursday, February 28, 2008, 16:30–19:00, Poster D

Manipulation von Exitonen in III/V- und II/VI-Heterostrukturen mittels akustischer Oberflächenwellen — •Daniel Fuhrmann¹, Jens Ebbecke^1,2,3, Stefan Völk^1,2 und Achim Wixforth^1,2 — ¹Lehrstuhl für Experimentalphysik 1, Institut für Physik, Universität Augsburg, Universitätsstr. 1, 86159 Augsburg — ²Center of Nanoscience, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München — ³School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Edinburgh, EH14 4AS, UK

Halbleiter-Heterostrukturen eignen sich ausgezeichnet für die Untersuchung von Exitonen mittels Photolumineszenzmessungen. Epitaktisch gewachsene, dünne Schichtfolgen von Halbleitern unterschiedlicher Bandlücken, ähnlicher Gitterkonstanten lassen zweidimensionale Ladungsträgersysteme entstehen. In diesen Systemen ist die Bindungsenergie der Exitonen um ein Vielfaches größer im Vergleich zum dreidimensionalen Fall.

Vorgestellt werden gezielte Manipulationen der Ladungsträger in III/V- und II/VI-Heterostrukturen, z.B. im lateralen dynamischen Piezopotential akustischer Oberflächenwellen. Beobachtet wird unter anderem die Dissoziation von Elektronen und Löchern in streifenförmige Domänen, sowie der Quantum Confined Stark Effect. Neben GaAs-Strukturen konnten wir weiterhin eine akustisch induzierte Dissoziation von Exitonen in ZnCdSe-Quantentöpfen detektieren. Dies ist dadurch besonders von Interesse, da die hohe Exitonenbindungsenergie von ca. 30 meV in diesem System im Prinzip auch Raumtemperaturanwendungen ermöglicht.