Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 54: Si/Ge

HL 54.17: Vortrag

Freitag, 29. Februar 2008, 14:45–15:00, EW 202

Einfluss der Dotierung auf die elastischen Eigenschaften von Silizium — •Nicole Santen und Reiner Vianden — Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14-16, 53115 Bonn

Für die Herstellung von Hochleistungshalbleiterbauelementen wird heutzutage sog. strained silicon, also gedehntes Silizium, verwendet. Dadurch ist es möglich die Ladungsträgerbeweglichkeit und damit die Schaltgeschwindigkeiten von Transistoren zu erhöhen und eine Verbesserung der Gesamtleistung zu erzielen.

Die Methode der gestörten γ-γ-Winkelkorrelation (PAC) ist sehr gut für die Untersuchung solcher lokaler Verspannungen in Silizium geeignet, da sie mikroskopische Beobachtungen der unmittelbaren Umgebung eines Sondenkerns ermöglicht. Auf diese Art können zum einen extern angelegte Zug- und Druckspannungen untersucht werden, aber auch Gitterverzerrungen, wie sie in implantierten Bereichen auftreten.

Mit der PAC-Sonde ¹¹¹In wird der Einfluss von Dotierungsatomen auf die elastischen Eigenschaften von Silizium untersucht. Frühere Messungen weisen darauf hin, dass das Siliziumgitter abhängig von der Art der Dotierungsatome unterschiedlich auf eine mechanische Verspannung reagiert. Neuere Messungen zeigen, dass man durch Implantation von Donatoren und Akzeptoren die elastischen Eigenschaften unterschiedlich beeinflussen kann. Dies wird anhand von Phosphor- und Bor-dotiertem Silizium verdeutlicht.