Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

P: Fachverband Plasmaphysik

P 15: Niedertemperaturplasmen, Plasmatechnologie II

P 15.2: Vortrag

Donnerstag, 13. März 2008, 14:45–15:00, 2G

Verdampfung und Schichtwachstum von Cäsium auf verschiedenen Oberflächen in Wasserstoffplasmen — •Simon König¹, Ursel Fantz^1,2, Robert Merkle³ und Martin Balden² — ¹Lehrstuhl für Experimentelle Plasmaphysik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg — ²Max-Planck-Institut für Plasmaphysik, EURATOM Assoziation, 85748 Garching — ³Anwenderzentrum für Material- und Umweltforschung, Universität Augsburg, 86135 Augsburg

Cäsium wird in Quellen für negative Ionen zur Erzeugung von H--Ionen eingesetzt. Es dient dabei der Erniedrigung der Austrittsarbeit der Oberflächen im Bereich des Extraktionsgitters und damit der Erhöhung der H--Ausbeute. Da in bestehenden Quellen für negative Ionen keine systematischen Untersuchungen der Cäsiumoberflächen möglich sind, wurden diese an einem Laborexperiment durchgeführt. Dabei handelt es sich um einem induktiv gekoppeltes HF-Plasma mit, zu den Ionenquellen, vergleichbaren Plasmaparametern. Die Austrittsarbeit von den mit Cäsium bedeckten Oberflächen (Cu, Mo, W) soll dabei in Abhängigkeit von der Schichtdicke bestimmt werden. Dabei liegt, im Gegensatz zu bisherigen Untersuchungen auf diesem Gebiet, kein Ultrahochvakuum vor, sondern ein Vakuum von etwa 10-5 mbar und keine hochreinen Oberflächen, also Bedingungen, wie sie auch in Quellen für negative Ionen zu finden sind. Desweiteren wird das Schichtwachstum von Cäsium auf verschiedenen Oberflächen und unter verschiedenen Plasmabehandlungen beobachtet. Die Ergebnisse der Messungen werden vorgestellt und diskutiert.