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P: Fachverband Plasmaphysik

P 9: Diagnostische Methoden

P 9.6: Vortrag

Donnerstag, 13. März 2008, 09:55–10:10, 2D

Abhängigkeit der Impedanz des Silan-Wasserstoff-Plasmas von den Prozessparametern — •Uwe Stickelmann, Andreas Mück, Dzmitry Hrunski und Uwe Rau — Forschungszentrum Jülich GmbH IEF5-Photovoltaik 52425 Jülich

Die Veröffentlichung beschreibt die Abhängigkeit zwischen der Plasmaimpedanz und den technologischen Parametern während der Herstellung von Silizium-Dünnschichtsolarzellen durch Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) in einem Silan-Wasserstoff-Plasma. Die Charakterisierung durch die Plasmaimpedanz ermöglicht ein tieferes Verständnis und eine in-situ Prozesskontrolle des Plasmaprozesses. Darüber hinaus kann die Auslegung des Hochfrequenz-Generators und des Anpassungsnetzwerkes optimiert werden. Die Abhängigkeit der Plasmaimpedanz von den technologischen Parametern Druck, Leistung, Temperatur und Durchfluss wird diskutiert. Insbesondere die Rolle der Silankonzentration wird analysiert. Die Plasmaimpedanz hat eine komplexe, nichtlineare Beziehung zur Silanverdünnung. Erklärungen für diesen Verlauf sind u.a. die Pulverbildung und die Plasmastrukturierung.