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P: Fachverband Plasmaphysik
P II: Poster: Niedertemperaturplasmen, Plasmatechnologie
P II.2: Poster
Dienstag, 11. März 2008, 11:00–13:00, Poster C3
Plasmagestützte Schichtabscheidung mittels bipolarem Substratbiasing — •Evelyn Häberle, Jochen Kopecki, Andreas Schulz, Matthias Walker und Ulrich Stroth — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, D-70569 Stuttgart
Mikrowellen bilden in vielen Gebieten der Plasmatechnologie eine weit verbreitete Technik zur Erzeugung von Plasmen. Die am IPF entwickelte “Duo-Plasmaline” ist eine linear ausgedehnte Plasmaquelle, die auch großflächige Beschichtungen (>1 m2) ermöglicht. Sie wird in dieser Arbeit genutzt, um isolierende und diffusionshemmende SiOx-Barriereschichten für Solarzellen herzustellen, die auf ein flexibles Metallsubstrat aufgebracht werden sollen.
Dabei wird durch Substratbiasing das Aufwachsverhalten der Schicht und deren Eigenschaften beeinflusst, indem durch einen negativen Puls am Substrathalter die schichtbildenden Ionen aus dem Plasma kontrolliert beschleunigt werden. Da Quarz ein isolierendes Material ist und somit keine Ladung über das Substrat abfließen kann, muss auf der Schichtoberfläche ein vollständiger Ladungsausgleich stattfinden. Dies wird durch einen zusätzlichen positiven Spannungspuls realisiert. Um eine größtmögliche Effektivität im Schichtwachstum zu erreichen, wird das Substrat unter Berücksichtigung der unterschiedlichen Masse der Ionen und Elektronen bipolar gepulst.
Ziel ist es, durch geeignetes Biasing die Schicht an Stellen mit Vertiefungen im Substrat homogen und glättend aufwachsen zu lassen, so dass sich hier keine Defektstellen in der Barriereschicht bilden können. Vorgestellt werden erste Ergebnisse dieser Arbeit.