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SYLM: Symposium Lasermaterialbearbeitung

SYLM 2: Funktionalisieren

SYLM 2.1: Hauptvortrag

Mittwoch, 12. März 2008, 16:30–17:00, 2B/C

Laserkristallisation von Niedertemperatur Polysilizium für Dünnschichttransistor Anwendungen — •Norbert Frühauf — Universität Stuttgart, Lehrstuhl für Bildschirmtechnik

Dünnschichttransistoren (thin film transistor, TFT) aus polykristallinem Silizium besitzen im Vergleich zu TFTs amorphen Silizium eine um zwei Größenordnungen höhere Schaltgeschwindigkeit und eine deutlich verbesserte Driftstabilität bei Gleichspannungsbelastung, weshalb die Technologie derzeit das weitaus größte Potenzial zur Realisierung von Aktiv-Matrix OLED Bildschirmen hat. Aufgrund der eingeschränkten Temperaturbelastbarkeit kostengünstiger großflächiger Bildschirmsubstrate erfolgt die Erzeugung der polykristallinen Halbleiterschicht durch Excimer Laser Kristallisation einer aus der Gasphase abgeschiedenen amorphen Silizium Schicht. Im Vortrag werden Aspekte des Laserkristallisationsprozesses auf die Eigenschaften der resultierenden Halbleiterschicht und die daran anschließenden Prozessschritte zur Herstellung ganzer Aktiv-Matrix Ansteuerschaltungen und OLED Bildschirmdemonstratoren vorgestellt. Dies beinhaltet experimentelle Untersuchungen zur Untersuchung des zeitlichen Verlaufs des Schmelzvorgangs, Homogenitätsuntersuchungen in den Überlapp-Bereichen mehrerer Laserbehandlungen, die Untersuchung von Verfahren zur determinierten Plazierung der Kristallite und die Beschreibung kostengünstiger Dünnschichttransistor Prozessvarianten welche auf einer Kombination von Kristallisation und Dotanden Aktivierung in einem einzigen Laserprozessierungsschritt beruhen.