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T: Fachverband Teilchenphysik

T 54: Halbleiterdetektoren I

T 54.3: Vortrag

Montag, 3. März 2008, 17:15–17:30, KGI-HS 1228

Untersuchungen zur Oberflächenschädigung von Si-Sensoren durch Röntgenstrahlung — •Friederike Januschek^1,2, Hanno Perrey², Robert Klanner², Eckhart Fretwurst² und Jolanta Sztuk-Dambietz² — ¹DESY, Notkestraße 85, 22607 Hamburg — ²Universität Hamburg, Institut für Experimentalphysik, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg

Wenn der Röntgenlaser XFEL am Deutschen Elektronen-Synchrotron (DESY) ab 2013 in Betrieb geht, werden die geplanten Silizium-Pixeldetektoren einem Fluss von 10¹⁶ Photonen/cm² von 12 keV ausgesetzt, was einer Oberflächendosis von etwa 1 GGy entspricht.

Zur Untersuchung der auftretenden Effekte wurde eine Anzahl von Teststrukturen (Gated Diodes) am F3-Strahl des DORIS-Speicherrings mit 10 keV Photonen im Dosisbereich von 1 kGy bis 1 GGy bestrahlt. Mit Hilfe von C/V- und I/V-Messungen an einem Spitzenmessplatz wurde die Änderung der Flachbandspannung und des Oxidoberflächenstroms als Funktion der Photondosis bestimmt.