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T: Fachverband Teilchenphysik

T 54: Halbleiterdetektoren I

T 54.5: Vortrag

Montag, 3. März 2008, 17:45–18:00, KGI-HS 1228

Untersuchungen zur Defektentwicklung in Siliziumdioden nach Bestrahlung mit Neutronen — •Alexandra Junkes¹, Ioana Pintilie^1,2, Eckhart Fretwurst¹ und Gunnar Lindström¹ — ¹Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Deutschland — ²NIMP, Bucharest-Margurele, Romänien

Es wurden isothermale Ausheilstudien bei 60°C und 300°C an dünnen FZ-, MCz- und EPI-Dioden nach einer Bestrahlung mit Reaktorneutronen durchgeführt. Die Defektentwicklung wurde mit Hilfe der Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) verfolgt, während die elektrischen Eigenschaften der Detektoren (Verarmungsspannung und Sperrstrom) aus C-V und I-V Charakteristiken bestimmt wurden. Ein Vergleich zwischen dem Ausheilen des Stroms und der Defektentwicklung in den unterschiedlichen Materialien wird vorgestellt und diskutiert. Besondere Beachtung findet dabei das Ausheilen der Cluster-Defekte und dessen Auswirkung auf die makroskopischen Detektoreigenschaften