Freiburg 2008 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 54: Halbleiterdetektoren I
T 54.9: Vortrag
Montag, 3. März 2008, 18:45–19:00, KGI-HS 1228
Aufbau eines Messstandes zur Untersuchung von Strahlenschäden durch Röntgenstrahlung für XFEL Pixeldetektoren — •Hanno Perrey1, Friederike Januschek1,2, Robert Klanner1, Eckhart Fretwurst1 und Fabian Renn3 — 1Institut für Experimentalphysik, Uni Hamburg — 2DESY, Hamburg — 3Sommerstudent am DESY, Uni Heidelberg
Wenn der Röntgenlaser XFEL am Deutschen Elektronensynchrotron (DESY) ab 2013 in Betrieb geht, werden die geplanten Silizium-Pixeldetektoren einem Fluss von 1016 Photonen/cm2 von 12 keV ausgesetzt, was einer Oberflächendosis von etwa 1 GGy entspricht.
In diesem Vortrag wird der Aufbau eines Messstandes im F3-Strahl am Speicherring DORIS beschrieben und die ersten Ergebnisse von Bestrahlungen von Teststrukturen vorgestellt.