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T: Fachverband Teilchenphysik

T 54: Halbleiterdetektoren I

T 54.9: Vortrag

Montag, 3. März 2008, 18:45–19:00, KGI-HS 1228

Aufbau eines Messstandes zur Untersuchung von Strahlenschäden durch Röntgenstrahlung für XFEL Pixeldetektoren — •Hanno Perrey¹, Friederike Januschek^1,2, Robert Klanner¹, Eckhart Fretwurst¹ und Fabian Renn³ — ¹Institut für Experimentalphysik, Uni Hamburg — ²DESY, Hamburg — ³Sommerstudent am DESY, Uni Heidelberg

Wenn der Röntgenlaser XFEL am Deutschen Elektronensynchrotron (DESY) ab 2013 in Betrieb geht, werden die geplanten Silizium-Pixeldetektoren einem Fluss von 10¹⁶ Photonen/cm² von 12 keV ausgesetzt, was einer Oberflächendosis von etwa 1 GGy entspricht.

In diesem Vortrag wird der Aufbau eines Messstandes im F3-Strahl am Speicherring DORIS beschrieben und die ersten Ergebnisse von Bestrahlungen von Teststrukturen vorgestellt.