T 54: Halbleiterdetektoren I
Monday, March 3, 2008, 16:45–19:00, KGI-HS 1228
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16:45 |
T 54.1 |
Resultate eines Beamtests mit großflächigen „magnetic Czochralski (Mcz)“ Siliziumstreifensensoren — Tobias Barvich, Martin Frey, Alexander Furgeri, Frank Hartmann, Bernhard Ledermann, •Thiansin Liamsuwan, Thomas Müller, Hans-Jürgen Simonis und Pia Steck
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17:00 |
T 54.2 |
Messungen an standardisierten Silizium-Testsensoren — Tobias Barvich, Martin Frey, Alexander Furgeri, Frank Hartmann, •Karl-Heinz Hoffmann, Bernhard Ledermann, Thomas Müller, Hans-Jürgen Simonis und Pia Steck
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17:15 |
T 54.3 |
Untersuchungen zur Oberflächenschädigung von Si-Sensoren durch Röntgenstrahlung — •Friederike Januschek, Hanno Perrey, Robert Klanner, Eckhart Fretwurst und Jolanta Sztuk-Dambietz
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17:30 |
T 54.4 |
Radiation Damage on MOS devices — •Qingyu Wei
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17:45 |
T 54.5 |
Untersuchungen zur Defektentwicklung in Siliziumdioden nach Bestrahlung mit Neutronen — •Alexandra Junkes, Ioana Pintilie, Eckhart Fretwurst und Gunnar Lindström
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18:00 |
T 54.6 |
Untersuchung der Strahlenschädigung von Protonen-bestrahlten epitaktischen Siliziumdetektoren — •Jörn Lange
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18:15 |
T 54.7 |
Untersuchungen zur Ladungssammlung in Siliziumdetektoren nach Neutronenbestrahlung — •Marie Kristin Bock
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18:30 |
T 54.8 |
Ein Mehrkanal-TCT Aufbau mit positions- und winkelabhängiger Ladungsinjektion hoher Intensität — •Julian Becker, Doris Eckstein, Georg Steinbrück und Robert Klanner
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18:45 |
T 54.9 |
Aufbau eines Messstandes zur Untersuchung von Strahlenschäden durch Röntgenstrahlung für XFEL Pixeldetektoren — •Hanno Perrey, Friederike Januschek, Robert Klanner, Eckhart Fretwurst und Fabian Renn
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