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T: Fachverband Teilchenphysik

T 55: Halbleiterdetektoren II

T 55.7: Vortrag

Dienstag, 4. März 2008, 18:20–18:35, KGI-HS 1228

Untersuchungen an einer neuen Generation von DEPFET-Pixelsensoren — •Kristof Schmieden, Lars Reuen, Robert Kohrs, Philipp Hettkamp, Hans Krüger und Norbert Wermers — Physikalisches Institut, Universität Bonn

Bei DEPFET-Pixeldetektoren ist der erste Verstärkungstransistor bereits im Pixel integriert. Mit vollständig depletiertem Bulk wird bei Raumtemperatur ein sehr hohes Signal-zu-Rausch Verhältnis bei sehr guter Ortsauflösung erreicht, was diesen Detektortyp als Kandidat für den ILC-Vertex Detektor auszeichnet. In der neuesten Design Revision (PXD5) wurde unter Anderem der Ladungssammlungsprozess optimiert sowie Strukturen mit kapzitiv gekoppeltem Clear-Gate zur Verbesserung des Löschvorgangs hergestellt.
Mit einem IR-Laser System wurden ortsaufgelößte Messungen sowohl an Einzelpixeln als auch an Matrizen der PXD5 Generation durchgeführt. Vorgestellt werden ersten Ergebnisse zum Ladungssammlungsverhalten und zum Löschvorgang bei kapazitiv gekoppeltem Clear-Gate.